Wednesday, July 12, 2017

توشيبا ميموري كوربورايشن تقوم بتطوير ذاكرة فلاش ثلاثية الأبعاد الأولى في العالم باستخدام تقنية "تي إس في"




 تحقق سرعة عالية لمدخلات ومخرجات البيانات واستهلاك منخفض للطاقة وسعة كبيرة



طوكيو -يوم الأَرْبعاء 12 يوليو 2017 [ إم إي نيوز واير ]

(بزنيس واير): أعلنت اليوم شركة "توشيبا ميموري كوربورايشن"، وهي الشركة الرائدة عالمياً في مجال حلول الذاكرة، عن قيامها بتطوير ذاكرة "بيكس فلاش" ثلاثية الأبعاد [2] الأولى في العالم [1] باستخدام تقنية المرور عبر وصلات السيليكون ("تي إس في") [3] مع تقنيّة 3 بِت للخليّة (خلية ثلاثية المستويات "تي إل سي"). بدأت عملية شحن النماذج الأولية لأغراض التطوير خلال شهر يونيو، ومن المقرر إصدار عينات من المنتجات في النصف الثاني من عام 2017. وسيتم عرض النموذج الأولي لهذا الجهاز الثوري في قمة "ذاكرة فلاش لعام 2017" التي ستقام في سانتا كلارا، كاليفورنيا، الولايات المتحدة، من 7 ولغاية 10 أغسطس.



وتتميز الأجهزة المصنعة بواسطة تقنية "تي إس في" بأقطاب كهربائية عمودية وثقوب توصيل تمرّ عبر قوالب السيليكون لتوفير التوصيلات، وهي هيكلية تحقق سرعة عالية لمدخلات ومخرجات البيانات واستهلاكاً منخفضاً للطاقة. وتم سابقاً إثبات الأداء في الحياة العملية، مع تقديم ذواكر تخزين فلاش بتقنية "ناند" ثنائية الأبعاد [4].



وقد سمح الجمع ما بين العمليات المتعلقة بذواكر فلاش ثلاثية الأبعاد ذات 48 طبقة وتقنية "تي إس في" لشركة "توشيبا ميموري كوربورايشن" بالنجاح في زيادة عرض النطاق لبرمجة المنتج مع تحقيق استهلاك منخفض للطاقة في الوقت نفسه. تجدر الإشارة إلى أن كفاءة الطاقة [5] للحزمة الواحدة تبلغ حوالي ضعف [6] تلك الخاصة بذاكرة "بيكس فلاش" من نفس الجيل المصنعة باستخدام تقنية ربط الأسلاك. كما تسمح  ذاكرة "بيكس فلاش" بتقنية "تي إس في" بتشغيل جهاز تبلغ سعته 1 تيرابايت مع هيكلية من 16 قالباً مكدساً في حزمة واحدة.



ستقوم شركة "توشيبا ميموري كوربورايشن" بتسويق ذاكرة "بيكس فلاش" بتقنية "تي إس في" من أجل توفير الحل المثالي فيما يتعلق بتطبيقات التخزين التي تتطلب كموناً منخفضاً ونطاق ترددي عال ومعدل عال من عمليات المدخلات والمخرجات في الثانية [7] لكل واط، بما في ذلك محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة عالية الجودة الخاصة بالمؤسسات.

المواصفات العامة (النموذج الأولي)
نوع الحزمة


ناند ثنائية الأبعاد x 8 "بي جي إيه"-152
سعة التخزين

 
512  جيجابيت

1  تيرابيت
عدد الطبقات

 
8
 
16
المقياس الخارجي


العرض

 
14 ميليمتر
 
14 ميليمتر
 

العمق

 
18 ميليمتر
 
18 ميليمتر


الارتفاع

 
1.35 ميليمتر

1.85 ميليمتر
الواجهة

 
"توجل دي دي آر"
سرعة الواجهة القصوى


1066ميجابايت في الثانية












ملاحظة:

[1] المصدر: شركة "توشيبا ميموري كوربورايشن"، إعتباراً من 11 يوليو 2017.

[2] هيكلية تجمع خلايا ذواكر فلاش عمودياً على ركيزة من السيليكون من أجل تحقيق تحسينات كبيرة على صعيد الكثافة مقارنة بذواكر فلاش العاملة بتقنية "ناند" المستوية، حيث تتشكل الخلايا على ركيزة من السيليكون.

[3]"ثرو سيليكون فيا": التقنية التي تشمل أقطاباً كهربائية عمودية وثقوب توصيل لتمرّ عبر قوالب السيليكون لتوفير التوصيلات في حزمة واحدة.

[4] "’توشيبا‘ تقوم بتطوير ذاكرة فلاش بتقنية "ناند" الأولى في العالم من 16 قالباً مكدساً بواسطة تقنية ’تي إس في‘"http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] معدل نقل البيانات لكل وحدة من وحدات الطاقة (ميجابايت في الثانية لكل واط)

[6] مقارنة مع منتجات "توشيبا ميموري كوربورايشن" الحالية.

[7] المدخلات المخرجات في الثانية: عدد مدخلات ومخرجات البيانات التي يتم معالجتها من خلال منفذ الإدخال / الإخراج في الثانية الواحدة. القيمة الأعلى تمثل مستوى أفضل من الأداء.



يتوفر معرض الصور والوسائط المتعددة عبر الرابط الإلكتروني التالي:

http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=51586889&lang=en



إنّ نصّ اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أمّا الترجمة فقد قدِمتْ للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنصّ اللغة الأصلية الذي يمثّل النسخة الوحيدة ذات  التأثير القانوني.



Contacts

شركة "توشيبا ميموري كوربورايشن"،

كوتا ياماجي

قسم تخطيط الأعمال

هاتف: +81334573473

البريد الإلكتروني: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp


الرابط الثابت : http://www.me-newswire.net/ar/news/4229/ar 

No comments:

Post a Comment