Toshiba lance un MOSFET de puissance à faible résistance pour les applications automobiles

La dernière gamme de produits propose le « DPAK +", un ensemble conçu pour obtenir une commutation à grande vitesse

TOKYO - Dimanche 27 Janvier 2013 [ME NewsWire]

(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a lancé un MOSFET de puissance à faible résistance, avec un faible taux de fuite utilisant le sillon MOS le plus récent pour compléter sa gamme MOSFET pour applications automobiles. Ce nouveau produit, le « TK100S04N1L », associe une faible résistance avec le processus de sillon MOS le plus récent de huitième génération, la puce « U-MOS VIII-H series » et l'ensemble « DPAK + » qui utilise des connecteurs Cu (cuivre). Le produit est principalement adapté aux applications automobiles, en particulier celles nécessitant une commutation à grande vitesse, tels que les contrôles moteurs et les régulateurs de commutation. Des échantillons sont d’ores et déjà disponibles, la production de masse devant débuter en mars 2013.


Polarité
 

Numéro de pièce
 

Tension drain-source VDSS (V)
 

Courant de drain ID (A)
 

Série

Nch
 

TK100S04N1L
 

40
 

100
 

U-MOS VIII-H
               

Fonctionnalités principales

1. Faible résistance RDS(ON) = 1,9 mΩ(typ.) (VGS = 10 V )

2. Faible courant de fuite IDSS=10μA (max) (VDS= tension nominale)

3. Ensemble "DPAK+" avec une faible résistance grâce à l'utilisation de connecteurs Cu

4. Tch = 175°C garanti


*Veuillez cliquer sur ce lien pour en savoir plus sur ce produit. http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268084_2470.html


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